Вышедшие номера
Фотолюминесцентные исследования кубического нитрида бора, активированного Nd в процессе синтеза под высоким давлением
Шишонок Е.М.1, Леончик С.В.1, Bodiou L.2, Braud A.2
1Научно-практический центр Национальной академии наук Беларуси по материаловедению, Минск, Беларусь
2Centre interdisciplinaire de recherche ions lasers, Caen, France
Email: shishonok@ifttp.bas-net.by
Поступила в редакцию: 9 июня 2008 г.
Выставление онлайн: 20 августа 2009 г.

Методом высоких давлений температур получены микропорошки кубического нитрида бора, активированные Nd. Фазовый состав микропорошков исследовался методами рентгеновской дифрактометрии и рентегнофлуоресцентного анализа. Исследованы фотолюминесценция, спектры возбуждения фотолюминесценции, а также время жизни возбужденного состояния 4F3/2 на ионах Nd, введенных в кубический нитрид бора. В спектрах фотолюминесценции микропорошков в области электронных переходов 4F3/2->4I9/2 и 4F3/2->4I11/2 зарегистрированы структурированные полосы. Большая интенсивность первой из них свидетельствует о реализации "трехуровневой схемы" возбуждения указанной фотолюминесценции в кубическом нитриде бора, активированном Nd. Показано, что с увеличением концентрации соединения Nd в ростовой шихте в микропорошках формируются два центра люминесценции Nd1 и Nd2, образованные ионами Nd, расположенными в различных кристаллических полях низкой симметрии, что подтверждается рентгеновскими исследованиями и исследованиями кривых затухания фотолюминесценции. Короткоживущее состояние 4F3/2 отнесено к ионам Nd, образующим центры Nd1, а долгоживущее состояние --- к ионам Nd, образующим центры Nd2. Работа выполнена в рамках проекта Ф07Ф-012 (Белоруссия--Франция), Программ КМС-27 и НАНОТЕХ (Белоруссия) (проект 6.15). PACS: 78.30.Fs, 78.55.Cr, 71.55.Eq, 78.60.Hk
  1. M.L. Caldwell, P.G. Van Patten, M.E. Kordesch, H.H. Richardson. MRS Internet J. Nitride Semicond. Res. 6, 13 (2001)
  2. W.M. Jadwisienczak, H.J. Lozykowski, I. Berishev, A. Bensaoula. J. Appl. Phys. 89, 4384 (2001)
  3. U. Vetter, K. Zenneck, H. Hofsass. Appl. Phys. Lett. 83, 2145 (2003)
  4. S.J. Pearton, C.R. Abernathy, J.D. MacKenzie, U. Hommerich, X. Wu, R.G. Wilson, R.N. Schwartz, J.M. Zavada, F. Ren. Appl. Phys. Lett. 71, 1807 (1997)
  5. S.J. Pearton, C.R. Albernathy, J.D. MacKenzie, U. Hommerich, J.M. Zavada, R.G. Wils. J. Vac. Sci. Technol. A 16, 1627 (1998)
  6. K. Gurumurugan, H. Chen, G.R. Harp, W.M. Jadwisienczak, H. Lozykowski. Appl. Phys. Lett. 74, 3008 (1999)
  7. V.I. Dimitrova, V. Patten, H.H. Richardson, M.E. Kordesch. Appl. Phys. Lett. 77, 478 (2000)
  8. J.D. MacKenzie, C.R. Abernathy, S.J. Pearton, U. Hommerich, X. Wu, R.N. Schwartz, R.G. Wilson, J.M. Zavada. Appl. Phys. Lett. 69, 2083 (1996)
  9. J.B. Gruber, U. Vetter, H. Hofsass, B. Zhandi, M.F. Reid. Phys. Rev. B 70, 245 108 (2004)
  10. U. Vetter, M.F. Reid, H. Hofsass, J. Zenneck, C. Ronning, M. Dietrich. Appl. Phys. Lett. 84, 4286 (2004)
  11. F.A. Cotton, G. Wilkinson, C.A. Murillo, M. Bochmann. In: Advanced inorganic chemistry. John Wiley \& Sons, N. Y. (1999). 1355 p
  12. J.H. Kim, P.H. Holloway. Adv. Mater. 17, 91 (2005)
  13. E.D. Readinger, G.D. Metcalfe, H. Shen, M. Wraback. Appl. Phys. Lett. 92, 061 108 (2008)
  14. E. Silkowski, Y.K. Yeo, R.L. Hengehold, B. Goldenberg, G.S. Pomrenke. MRS Symp. Proc. 422, 69 (1996)
  15. S. Kim, S.J. Rhee, X. Li, J.J. Coleman, S.G. Bishop. Phys. Rev. B 57, 14 588 (1998)
  16. J.H. Kim, P.H. Holloway. Appl. Phys. Lett. 85, 1689 (2004)
  17. J.W. Steeds, G.A. Evance, E.M. Shishonok. MRS Spring Meeting-2002. Symposium F: Defects- and impurity-engineering semiconductors and devices. San-Francisco, USA (2002). P. 4
  18. E.M. Shishonok, J.W. Steeds. Int. Conf. in wide band gap mater. Exeter, England (2001). P. 7
  19. U. Vetter, T. Taniguchi, U. Wahl, J. Correia, A. Muller, C. Ronning, H. Hofsass, M. Dietrich. MRS Symp. Proc. 744, M 8.38.1 (2003)
  20. E.M. Shishonok, A.R. Philip, N.A. Shishonok, N.G. Anichenko. Phys. Status Solidi B 242, 1700 (2005)
  21. E.M. Shishonok, S.V. Leonchik, J.W. Steeds. Phys. Status Solidi B 244, 2172 (2007)
  22. E.M. Shishonok, S.V. Leonchik, D. Wolverson, J.W. Steeds. Diamond Relat. Mater. 16, 1602 (2007)
  23. J. Oewiderski, A. Zajyc, M. Skorczakowski, Z. Jankiewicz, P. Konieczny. J. Optoelectron. 12, 169 (2004)
  24. S. Bjurshagen. Diode-pumped rare-earth-doped quasi-three-level lasers. Dr's Technology Dissertation. Stocholm, Sweden (2005)
  25. J.F. Donegan. Phys. Rev. B 41, 10 254 (1990)
  26. J. Malek. Czechoslovak. J. Phys. 16, 884 (1966)
  27. U.R. Rodriguez-Mendoza, A. Rodenas, D. Jaque, I.R. Martin, F. Lahoz, V. Lavin. High. Press. Res. 26, 341 (2006)
  28. А.М. Прохоров. УФН 148, 7 (1986)
  29. В.Ф. Писаренко. Сорос. образоват. журн. 11, 111 (1996)
  30. K. Hauptmanova, J. Pantoflicek, K. Patek. Phys. Status Solidi B 9, 525 (1965)
  31. Е.Б. Клещинов, И.М. Батяев, С.М. Бегельдиева, Д.В. Харитонов. Письма в ЖЭТФ 28, 88 (2002)
  32. В.В. Рандошкин, Н.В. Васильева, В.Г. Плотниченко, Ю.Н. Пырков, С.В. Лаврищев, М.А. Иванов, А.А. Кирюхин. ФТТ 46, 1001 (2004)
  33. D. Hreniak, W. Strel, P. Mazur. Mater. Sci. 20, 39 (2002)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.