Издателям
Вышедшие номера
Фотолюминесцентные исследования кубического нитрида бора, активированного Nd в процессе синтеза под высоким давлением
Шишонок Е.М.1, Леончик С.В.1, Bodiou L.2, Braud A.2
1Научно-практический центр Национальной академии наук Беларуси по материаловедению, Минск, Беларусь
2Centre interdisciplinaire de recherche ions lasers, Caen, France
Email: shishonok@ifttp.bas-net.by
Поступила в редакцию: 9 июня 2008 г.
Выставление онлайн: 20 августа 2009 г.

Методом высоких давлений температур получены микропорошки кубического нитрида бора, активированные Nd. Фазовый состав микропорошков исследовался методами рентгеновской дифрактометрии и рентегнофлуоресцентного анализа. Исследованы фотолюминесценция, спектры возбуждения фотолюминесценции, а также время жизни возбужденного состояния 4F3/2 на ионах Nd, введенных в кубический нитрид бора. В спектрах фотолюминесценции микропорошков в области электронных переходов 4F3/2->4I9/2 и 4F3/2->4I11/2 зарегистрированы структурированные полосы. Большая интенсивность первой из них свидетельствует о реализации "трехуровневой схемы" возбуждения указанной фотолюминесценции в кубическом нитриде бора, активированном Nd. Показано, что с увеличением концентрации соединения Nd в ростовой шихте в микропорошках формируются два центра люминесценции Nd1 и Nd2, образованные ионами Nd, расположенными в различных кристаллических полях низкой симметрии, что подтверждается рентгеновскими исследованиями и исследованиями кривых затухания фотолюминесценции. Короткоживущее состояние 4F3/2 отнесено к ионам Nd, образующим центры Nd1, а долгоживущее состояние --- к ионам Nd, образующим центры Nd2. Работа выполнена в рамках проекта Ф07Ф-012 (Белоруссия--Франция), Программ КМС-27 и НАНОТЕХ (Белоруссия) (проект 6.15). PACS: 78.30.Fs, 78.55.Cr, 71.55.Eq, 78.60.Hk
  • M.L. Caldwell, P.G. Van Patten, M.E. Kordesch, H.H. Richardson. MRS Internet J. Nitride Semicond. Res. 6, 13 (2001)
  • W.M. Jadwisienczak, H.J. Lozykowski, I. Berishev, A. Bensaoula. J. Appl. Phys. 89, 4384 (2001)
  • U. Vetter, K. Zenneck, H. Hofsass. Appl. Phys. Lett. 83, 2145 (2003)
  • S.J. Pearton, C.R. Abernathy, J.D. MacKenzie, U. Hommerich, X. Wu, R.G. Wilson, R.N. Schwartz, J.M. Zavada, F. Ren. Appl. Phys. Lett. 71, 1807 (1997)
  • S.J. Pearton, C.R. Albernathy, J.D. MacKenzie, U. Hommerich, J.M. Zavada, R.G. Wils. J. Vac. Sci. Technol. A 16, 1627 (1998)
  • K. Gurumurugan, H. Chen, G.R. Harp, W.M. Jadwisienczak, H. Lozykowski. Appl. Phys. Lett. 74, 3008 (1999)
  • V.I. Dimitrova, V. Patten, H.H. Richardson, M.E. Kordesch. Appl. Phys. Lett. 77, 478 (2000)
  • J.D. MacKenzie, C.R. Abernathy, S.J. Pearton, U. Hommerich, X. Wu, R.N. Schwartz, R.G. Wilson, J.M. Zavada. Appl. Phys. Lett. 69, 2083 (1996)
  • J.B. Gruber, U. Vetter, H. Hofsass, B. Zhandi, M.F. Reid. Phys. Rev. B 70, 245 108 (2004)
  • U. Vetter, M.F. Reid, H. Hofsass, J. Zenneck, C. Ronning, M. Dietrich. Appl. Phys. Lett. 84, 4286 (2004)
  • F.A. Cotton, G. Wilkinson, C.A. Murillo, M. Bochmann. In: Advanced inorganic chemistry. John Wiley \& Sons, N. Y. (1999). 1355 p
  • J.H. Kim, P.H. Holloway. Adv. Mater. 17, 91 (2005)
  • E.D. Readinger, G.D. Metcalfe, H. Shen, M. Wraback. Appl. Phys. Lett. 92, 061 108 (2008)
  • E. Silkowski, Y.K. Yeo, R.L. Hengehold, B. Goldenberg, G.S. Pomrenke. MRS Symp. Proc. 422, 69 (1996)
  • S. Kim, S.J. Rhee, X. Li, J.J. Coleman, S.G. Bishop. Phys. Rev. B 57, 14 588 (1998)
  • J.H. Kim, P.H. Holloway. Appl. Phys. Lett. 85, 1689 (2004)
  • J.W. Steeds, G.A. Evance, E.M. Shishonok. MRS Spring Meeting-2002. Symposium F: Defects- and impurity-engineering semiconductors and devices. San-Francisco, USA (2002). P. 4
  • E.M. Shishonok, J.W. Steeds. Int. Conf. in wide band gap mater. Exeter, England (2001). P. 7
  • U. Vetter, T. Taniguchi, U. Wahl, J. Correia, A. Muller, C. Ronning, H. Hofsass, M. Dietrich. MRS Symp. Proc. 744, M 8.38.1 (2003)
  • E.M. Shishonok, A.R. Philip, N.A. Shishonok, N.G. Anichenko. Phys. Status Solidi B 242, 1700 (2005)
  • E.M. Shishonok, S.V. Leonchik, J.W. Steeds. Phys. Status Solidi B 244, 2172 (2007)
  • E.M. Shishonok, S.V. Leonchik, D. Wolverson, J.W. Steeds. Diamond Relat. Mater. 16, 1602 (2007)
  • J. Oewiderski, A. Zajyc, M. Skorczakowski, Z. Jankiewicz, P. Konieczny. J. Optoelectron. 12, 169 (2004)
  • S. Bjurshagen. Diode-pumped rare-earth-doped quasi-three-level lasers. Dr's Technology Dissertation. Stocholm, Sweden (2005)
  • J.F. Donegan. Phys. Rev. B 41, 10 254 (1990)
  • J. Malek. Czechoslovak. J. Phys. 16, 884 (1966)
  • U.R. Rodriguez-Mendoza, A. Rodenas, D. Jaque, I.R. Martin, F. Lahoz, V. Lavin. High. Press. Res. 26, 341 (2006)
  • А.М. Прохоров. УФН 148, 7 (1986)
  • В.Ф. Писаренко. Сорос. образоват. журн. 11, 111 (1996)
  • K. Hauptmanova, J. Pantoflicek, K. Patek. Phys. Status Solidi B 9, 525 (1965)
  • Е.Б. Клещинов, И.М. Батяев, С.М. Бегельдиева, Д.В. Харитонов. Письма в ЖЭТФ 28, 88 (2002)
  • В.В. Рандошкин, Н.В. Васильева, В.Г. Плотниченко, Ю.Н. Пырков, С.В. Лаврищев, М.А. Иванов, А.А. Кирюхин. ФТТ 46, 1001 (2004)
  • D. Hreniak, W. Strel, P. Mazur. Mater. Sci. 20, 39 (2002)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.