Вышедшие номера
Home » Физика твердого тела » Год 2009, выпуск 7 » Статья стр. 1448
<<<>>>
Нормальный и аномальный гистерезис проводимости в канале прозрачного сегнетоэлектрического транзистора
Титков И.Е.1, Пронин И.П.1, Каптелов Е.Ю.1, Делимова Л.А.1, Линийчук И.А.1, Грехов И.В.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: ITitkov@mail.ioffe.ru
Выставление онлайн: 19 июня 2009 г.
PDF версия
Созданы и исследованы структуры прозрачного сегнетоэлектрического полевого транзистора PZT/SnO2/Al2O3 с "нормальным" и "аномальным" гистерезисом проводимости канала. Впервые получена "нормальная" петля модуляции в данной структуре. В качестве канала полевого транзистора использовались легированные сурьмой эпитаксиальные пленки SnO2/Al2O3, напыленные YAG-лазером из металлической мишени. Сегнетоэлектрические пленки PZT осаждались магнетронным распылением. Распределение глубоких уровней на границе PZT/SnO2 измерялось модифицированным методом релаксационных токов. Установлено, что соотношение поляризационного заряда и заряда ловушек на границе PZT/SnO2 критически влияет на направление гистерезиса проводимости канала. Работа выполнена при поддержке грантов ОФН, Президиума РАН и РФФИ (N 06-08-01370a). PACS: 77.80.Dj, 73.50.Td, 85.30.Tv
  1. K. Nomura, H. Ohta, K. Ueda, T. Kamiy, T.M. Hirano, H. Hosono. Science 300, 1269 (2003)
  2. H. Ohta, H. Hosono. Materials Today 7, 6, 42 (2004)
  3. J.F. Wager. Science 300, 1245 (2003)
  4. M.W.J. Prins, S.E. Zinnemers, J.F.M. Cillessen, J.B. Giesbers. Appl. Phys. Lett. 70, 4, 458 (1997)
  5. I.E. Titkov, I.P. Pronin, I.A. Liniichuk, I.V. Grekov. Integrated Ferroelectrics 72, 53 (2005)
  6. E. Tokumitsu, M. Senoo, E. Shin. Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 902E, 0902-T10-54.1 (2006)
  7. Y.-S. Kang, Q. Fan, Bo Xiao, Ya.I. Alivov, J. Xie, N. Onojima, Y.-S. Park. Appl. Phys. Lett. 88, 123 508 (2006)
  8. Shu-Yau Wu. IEEE Trans. Electron Devices 21, 8, 499 (1974)
  9. S.-M. Koo, S. Khartsev, C.-M. Zetterling, A. Grishin, M. Ostling. Appl. Phys. Lett. 83, 19, 3975 (2003)
  10. J.-P. Han, S.-M. Koo, C.A. Richter, E.M. Vogel. Appl. Phys. Lett. 85, 8, 1439 (2004)
  11. И.Е. Титков, И.П. Пронин, Д.В. Машовец, Л.А. Делимова, И.А. Линейчук, И.В. Грехов. ФТП 39, 7, 890 (2005)
  12. T.P. Ma, J.-P. Han. U.S. Patent N 6067244 (2000)
  13. I. Titkov, I. Pronin, L. Delimova, I. Linichuk, I. Grekhov. Thin Solid Films 515, 24, 8748 (2007)
  14. A.A. Gorbunov, W. Pompe, A. Sewing, S.V. Gaponov, A.D. Akhsakhalyan, I.G. Zabrodin, I.A. Kas'kov, E.B. Kluenkov, A.P. Morozov, N.N. Salaschenko, R. Dietsch, H. Mai, S. Vollmar. Appl. Surf. Sci. 96/98, 649 (1996)
  15. L. Delimova, I. Grekhov, D. Mashovets, S. Tyaginov, S. Shin, J.-M. Koo, S.-P. Kim, Y. Park. Appl. Phys. Lett. 87, 192 101 (2005)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme