Вышедшие номера
Нормальный и аномальный гистерезис проводимости в канале прозрачного сегнетоэлектрического транзистора
Титков И.Е.1, Пронин И.П.1, Каптелов Е.Ю.1, Делимова Л.А.1, Линийчук И.А.1, Грехов И.В.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: ITitkov@mail.ioffe.ru
Выставление онлайн: 19 июня 2009 г.

Созданы и исследованы структуры прозрачного сегнетоэлектрического полевого транзистора PZT/SnO2/Al2O3 с "нормальным" и "аномальным" гистерезисом проводимости канала. Впервые получена "нормальная" петля модуляции в данной структуре. В качестве канала полевого транзистора использовались легированные сурьмой эпитаксиальные пленки SnO2/Al2O3, напыленные YAG-лазером из металлической мишени. Сегнетоэлектрические пленки PZT осаждались магнетронным распылением. Распределение глубоких уровней на границе PZT/SnO2 измерялось модифицированным методом релаксационных токов. Установлено, что соотношение поляризационного заряда и заряда ловушек на границе PZT/SnO2 критически влияет на направление гистерезиса проводимости канала. Работа выполнена при поддержке грантов ОФН, Президиума РАН и РФФИ (N 06-08-01370a). PACS: 77.80.Dj, 73.50.Td, 85.30.Tv