Вышедшие номера
Исследование спектров поглощения Er3+ в кристаллах KTaO3
Скворцов А.П.1, Трепаков В.А.1,2, Каппхан З.3, Дейнека А.2, Ястрабик Л.2
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Институт физики Чешской академии наук, Прага, Чехия
3Отдел физики, Университет г. Оснабрюк, Оснабрюк, Германия
Email: a.skvortsov@mail.ioffe.ru
Выставление онлайн: 19 июня 2009 г.

Приведены первые результаты исследования оптических спектров поглощения кристаллов KTaO3 : Er3+. В области 350-660 nm обнаружены линии внутриконфигурационных электронных переходов из основного состояния 4I15/2 на уровни возбужденных состояний 4F9/2, 4S3/2, 2H11/2, 4F7/2, 4F5/2(4F3/2,), 2G9/2, 4G11/2 ионов Er3+. При 77 K детально исследованы переходы на уровни 4F9/2, 4S3/2, 2H11/2, 4F7/2. Число наблюдавшихся линий для указанных переходов соответствует теоретически возможному для электронных f-f-переходов в ионах Er3+, находящихся в кубическом кристаллическом поле. В случае гетерозарядного замещения такая ситуация реализуется лишь при нелокальной компенсации заряда примеси. Определены энергетические положения уровней возбужденных состояний для исследованных переходов. Работа выполнена при поддержке грантами РФФИ (N 06-02-17320, 06-02-17274a), НШ-1455.2008.2, НШ-2628.2008, GACR 202/08/1009, KAN3013701 ASCR, 1M06002 MSMT CR и CRDF RPO 13-85-STO3. PACS: 78.40.Ha, 77.84.Dy, 71.55.Ht
  1. R.D. Shannon. Acta Cryst. A 32, 751 (1976)
  2. К. Полгар, А.П. Скворцов. Опт. и спектр. 58, 229 (1985)
  3. V. Dierolf, M. Koerdt. Phys. Rev. B 61, 8043 (2000)
  4. А.А. Каплянский, З. Каппхан, А.Б. Куценко, К. Полгар, А.П. Скворцов. Письма в ЖТФ 33, 46 (2007)
  5. V.V. Krivolapchuk, M.M. Mezdrogina, S.D. Raevskii, A.P. Skvortsov, Sh. Yusupova. Phys. Status Solidi A 195, 112 (2003)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.