Предложена методика расчета энтальпии образования дефекта Шоттки h_s в кристалле с кубической структурой состава АВ. Изучена зависимость h_s от температуры и давления в ионном кристалле. Расчеты значения h_s для 35 ионных кристаллов с различной кубической структурой показали хорошее согласие с экспериментальными оценками энтальпии образования дефекта Шоттки.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.