Исследовано влияние одноосных напряжений сжатия, направленных вдоль трех кристаллографических осей, на диэлектрическую проницаемость varepsilon_XX, поляризацию P_X и спонтанную поляризацию P_S тиомочевины SC (NH₂)₂, в области сегнетоэлектрических фазовых переходов. Выявлена анизотропия изменения диэлектрических свойств кристалла при его одноосным сжатии. Показано, что все три напряжения эффективно смещают температуры фазовых переходов и существенно уменьшают значения varepsilon_XX, P_X и P_S.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.