Влияние одноосного сжатия на фазовые переходы сегнетоэлектриков Sn2P2S6 и Sn2P2Se6
Высочанский Ю.М., Перечинский С.И., Приц И.П., Ризак В.М., Ризак И.М., Сейковская А.А.
Выставление онлайн: 19 сентября 1992 г.
Для собственных одноосных сегнетоэлектриков Sn2P2S6 и Sn2P2Se6 изучено влияние одноосного сжатия на температурные зависимости двупреломления и диэлектрической проницаемости. Сопоставлено влияние сжатия на сегнетоэлектрический фазовый переход (ФП) в Sn2P2S6 и на ограничивающие несоразмерную (НС) фазу переходы в Sn2P2Se6. Наблюдаемые барические скорости изменения температур ФП и интервала НС фазы согласуются с рассчитанными в приближении, учитывающем наличие наряду с точкой Лифшица и трикритической точки на диаграмме состояний исследованных кристаллов. Установлены изменение при замене серы на селен соотношения барических скоростей температур ФП для разных одноосных механических напряжений и слабая чувствительность НС фазы к сжатию вдоль оси модуляции структуры. Предположено, что эти проявления анизотропии связаны с особенностями линейного взаимодействия мягкой оптической и акустических фононных ветвей.
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.