Физика твердого тела
Авторам
Вышедшие номера
- 2025
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Тонкопленочный конденсатор M/Pb(ZrTi)O3/M как поляризационно-чувствительный фотоэлемент1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия 
2Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия
2Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия
Email: ladel@mail.ioffe.ru
Выставление онлайн: 20 мая 2009 г.
Исследован стационарный фототок в режиме короткого замыкания при облучении предварительно поляризованных субмикронных конденсаторов с поликристаллической пленкой Pb(ZrTi)O3 (PZT) светом с длиной волны lambda>0.4 mum. Обнаружено, что структуры с разными интерфейсами M/PZT, различающиеся по величине токов утечки более чем на порядок, демонстрируют практически одинаковое значение фототока, который всегда направлен против сегнетоэлектрической поляризации пленки PZT. Хотя величина фототока определяется степенью поляризованности пленки, наблюдаемый фототок не является током деполяризации сегнетоэлектрика. Таким образом, M/PZT/M конденсатор ведет себя как поляризационно-чувствительный фотоэлемент. В рамках предложенной теории гетерофазной среды рассчитана зависимость фототока от величины предварительной поляризации, которая разумно согласуется с экспериментальными результатами. Работа поддержана грантом РФФИ N 06-08-01370-a и программой РАН "Физика конденсированных сред", проект "Сильно коррелированные электроны в полупроводниках, металлах, сверхпроводниках и магнитных материалах". PACS: 73.50.Pz, 77.22.Ej, 77.84.Dy
- S. Thakoor. Appl. Phys. Lett. 60, 3319 (1992)
- J. Lee, S. Esayan, J. Prohaska, A. Safari. Appl. Phys. Lett. 64, 294 (1994)
- A. Kholkin, O. Boiarkine, N. Setter. Appl. Phys. Lett. 72, 130 (1998)
- L. Pintilie, I. Vrejoiu, G. Le Rhun, M. Alexe. J. Appl. Phys. 101, 064 109 (2007)
- В.К. Ярмаркин, Б.М. Гольцман. М.М. Казанин, В.В. Леманов. ФТТ 42, 511 (2000)
- Y. Watanabe, M. Okano. Appl. Phys. Lett. 78, 1906 (2001)
- А.А. Богомолов, О.Н. Сергеева, Д.А. Киселев, И.П. Пронин, В.П. Афанасьев. ФТТ 48, 1123 (2006)
- M. Qin, K. Yao, Y.C. Liang, B.K. Gan. Integr. Ferroelectrics 95, 105 (2007)
- L.A. Delimova, V.S. Yugerev, I.V. Grekhov, P.V. Afanasjev, G.P. Kramar, A.A. Petrov, V.P. Afanasjev. Appl. Phys. Lett. 91, 112 907 (2007)
- L.A. Delimova, V.S. Yuferev, A.A. Petrov, P.V. Afanasjev, I.V. Grekhov. Ferroelectrics, multiferroics, and magnetoelectrics / Eds J.F. Scott, V. Gopalan, M. Okuyama, M. Bibes. Mater. Res. Soc. Symp. Proc. Warrednale, PA (2008). V. 1034E. K10-77
- L.A. Delimova, I.V. Grekhov, D.V. Mashovets, S.E. Tyaginov, S. Shin, J.-M. Koo, S.-P. Kim, Y. Park. Appl. Phys. Lett. 87, 192 101 (2005)
- В.П. Афанасьев, П.В. Афанасьев, И.В. Грехов, Л.А. Делимова, С.-П. Ким, Ю.-М. Коо, Д.В. Машовец, А.В. Панкрашкин, Й. Парк, А.А. Петров, С. Шин. ФТТ 48, 1130 (2006)
- L.A. Delimova, I.V. Grekhov, D.V. Mashovets, I.E. Titkov, V.P. Afanasjev, P.V. Afanasjev, G.P. Kramar, A.A. Petrov. Ferroelectrics 348, 25 (2007)
- В.П. Афанасьев, Г.Н. Мосина, А.А. Петров, И.П. Пронин, Л.М. Сорокин, Е.А. Тараканов. Письма в ЖТФ 27, 56 (2001)
- В.А. Извозчиков, О.А. Тимофеев. Фотопроводящие окислы свинца в электронике. Энергия, Л. (1979). 142 с
- S.L. Miller, P.J. Mc Whoter. J. Appl. Phys. 72, 5999 (1992)
- L.A. Delimova, D.V. Mashovets, V.S. Yuferev. Integr. Ferroelectrics 102, 1, 1 (2009)
- V.M. Fridkin, A.A. Grekov, P.V. Ionov. Ferroelectrics 8, 433 (1974)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
