Проведен расчет коэффициента вторичной электронной эмиссии свинцово-силикатных стекол на основе ранее полученных экспериментальных результатов об электронной структуре валентной полосы и внутренних уровней этих стекол, Расчет, проведенный в предположении преобладания плазмонного механизма вторичной эмиссии для диэлектриков, показал хорошее совпадение с экспериментом и применимость плазмонной теории эмиссии к широкозонным стеклообразным диэлектрикам.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.