Издателям
Вышедшие номера
Об энергетической релаксации электронов на фононах в тонких металлических пленках при низких температурах
Шкловский В.А.
Выставление онлайн: 20 августа 1992 г.

Показано, что в "грязном" пределе время энергетической релаксации электронов на фононах tauep за счет двумерности электрон-фононного взаимодействия (ЭФВ) в тонкой пленке имеет место низкотемпературное поведение вида T-p с тем же значением p = 3, что и в чистом 3D металле. В этой связи предлагается реинтерпретация ряда известных экспериментов по определению tauep(T) в тонких пленках.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.