Издателям
Вышедшие номера
Дефекты с короткодействующим потенциалом в полупроводниках с тенденцией к автолокализации носителей заряда
Нагаев Э.Л.
Выставление онлайн: 20 августа 1992 г.

Тенденция к автолокализации носителей заряда резко облегчает образование дискретных уровней в поле дельтаобразного притягивающего потенциала. В полярных кристаллах электрон-фононное взаимодействие даже при малых константах связи может в несколько раз уменьшить значение потенциала, в котором отщепляется уровень. В магнитных и сегнетоэлектрических полупроводниках отщепление уровней может происходить скачком.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.