Взаимодействие между дефектами и электропроводность слаболегированных щелочно-галоидных кристаллов
Выставление онлайн: 20 июля 1992 г.
Методом Монте-Карло проведены расчеты электропроводности щелочно-галоидных кристаллов с малой концентрацией двухвалентных катионов замещения (слаболегированные ЩГК). На основе этих расчетов проанализирована электропроводность слаболегированных ЩГК в моделях ассоциации без блокирования и с блокированием. Показано, что данные модели описывают два предельных случая электропроводности реальных ЩГК. Выведено соотношение для определения энергии взаимодействия катионной вакансии с двухвалентным катионом замещения из данных по электропроводности ЩГК в области примесной проводимости и в области комплексообразования.
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.