С помощью синхротронного излучения ускорителя изучались внутренние напряжения и искажения кристаллической решетки в процессе деформирования кристаллов LiF, в которых предварительно были созданы участки с разным сопротивлением движению дислокаций. Показано, что максимальные внутренние напряжения возникают в момент прорыва наиболее сильных дислокационных стопоров. При дальнейшей деформации эти напряжения уменьшаются и дисперсия упругой деформации решетки определяется локальной неоднородностью распределения дислокаций.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.