Обнаружено, что для туннельных контактов на основе Bi-Sr-Са-Сu-О при низких температурах проводимость dI/dU=sigma в начальной области напряжения описывается корневой зависимостью sigma~ U^1/2, обусловленной усилением электрон-электронного взаимодействия в приповерхностном слое керамики, которая при больших напряжениях смещения и температурах (>100 мВ и 100 K) переходит в линейную, что связывается с существованием на поверхности ВТСП барьера Шоттки. Для высокоомных пленочных туннельных структур и высоких T~300 K sigma(U)~exp(U/E₀₀). В экспериментах с двойной иглой и при моделировании установлено, что пики дифференциального сопротивления в туннельных спектрах имеют токовый характер разрушения слабых джозефсоновских связей. Определены их параметры. Возникновение нулевого пика проводимости в dU/DI-U объясняется разрушением связей с малым критическим током.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.