Исследованиями температурной зависимости диэлектрической проницаемости слоистых кристаллов TlInS₂ из различных технологических партий, воздействия одноосных сжимающих напряжений и легирования установлено, что качественно отличное поведение varepsilon(T) при ФП в несоизмеримую фазу при нормальном давлении обусловлено реальной кристаллической структурой исследованных образцов.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.