Вышедшие номера
Прямое измерение решеточного и дефектного вкладов в спин-решеточную релаксацию квадрупольных ядер в кристаллах GaAs и NaI
Ефиценко П.Ю., Мавлоназаров И., Микушев В.М., Чарная Е.В.
Выставление онлайн: 20 мая 1992 г.

На примере кристаллов GaAs и NaI демонстрируется эффект подавления дефектного вклада в ядерную спин-решеточную релаксацию и проводится разделение дефектного и решеточного вкладов, основанное на использовании вариантов двойных ядерных резонансов - квадрупольного насыщения линии ЯМР электрическим и акустическим полями.