Вышедшие номера
Прямое измерение решеточного и дефектного вкладов в спин-решеточную релаксацию квадрупольных ядер в кристаллах GaAs и NaI
Ефиценко П.Ю., Мавлоназаров И., Микушев В.М., Чарная Е.В.
Выставление онлайн: 20 мая 1992 г.

На примере кристаллов GaAs и NaI демонстрируется эффект подавления дефектного вклада в ядерную спин-решеточную релаксацию и проводится разделение дефектного и решеточного вкладов, основанное на использовании вариантов двойных ядерных резонансов --- квадрупольного насыщения линии ЯМР электрическим и акустическим полями.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.