В широком интервале интенсивностей возбуждения исследованы спектры спонтанного и стимулированного излучения сверхрешетки GaAs/Al_0.33Ga_0.65As, выращенной методом молекулярно-лучевой эпитаксии. Рассчитаны спектры коэффициента оптического усиления в зависимости от плотности накачки в области нелинейных эффектов. Из анализа формы спектра оптического усиления с учетом эффекта растекания определен ряд параметров двумерной электронно-дырочной плазмы: концентрация неравновесных носителей, их перегрев, а также дрейфовая скорость носителей заряда, возникающая вследствие наличия фермиевского давления.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.