Измерены выход и энергораспределения (ЭР) атомов цезия при электронно-стимулированной десорбции (ЭСД) из слоев цезия, адсорбированных на вольфраме, покрытом пленкой золота, в зависимости от энергии бомбардирующих электронов, толщины пленки золота, количества адсорбированного цезия и температуры поверхности. Измерения выполнены времяпролетным методом с помощью детектора на основе поверхностной ионизации. Выход ЭСД атомов Cs наблюдается лишь после нанесения на поверхность вольфрама более одного монослоя золота и более одного монослоя цезия при T=300 K, что сопровождается образованием пленки полупроводникового соединения Cs_xAu_y с субмонослоем атомов Cs. Зависимость выхода ЭСД от энергии электронов имеет резонансный характер и состоит из двух пиков с порогом появления 57 eV при T=300 K и 24 eV при 160 K, связанных с возбуждением уровней Au 5p_3/2 в подложке и 5s Cs в адслое цезия. Возбуждение уровня Au 5p_3/2 дает в ЭР атомов Cs при T=300 K один широкий пик с максимумом при E~0.45 eV, который при T=160 K расщепляется на два пика с максимумами при E~0.36 и ~0.45 eV, связанные с различными каналами ЭСД атомов Cs. Возбуждение уровня Cs 5s при T=160 K в адслое дает в ЭР атомов Cs пик с максимумом при E~0.57 eV, который существует лишь при T<240 K и малых концентрациях цезия. Предложены механизмы для всех каналов ЭСД атомов Cs, которые сравниваются с каналами ЭСД атомов Na в системе Na-Au-W. Работа выполнена при частичной поддержке Российского фонда фундаментальных исследований (грант N 07-02-00284). PACS: 68.43.Rs, 68.47.De, 79.20.La

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.