Издателям
Вышедшие номера
К вопросу о туннелировании сквозь промежуточный (19-50 Angstrem) окисный слой кремниевой ПТДП структуры
Бойцов С.К., Макарова Т.Л., Осипов В.Ю.
Выставление онлайн: 19 апреля 1992 г.

Исследованы при прямом внешнем смещении туннельные характеристики p+-Si*-SiOx-p-Si структур с термически выращенным при T=700oC окислом. Анализ туннельных и эллипсометрических характеристик показал, что уменьшение тока через структуру обусловлено уменьшением туннельной прозрачности барьера для дырок. При этом для окислов, соответствующих временам окисления от 1 до 5 мин, уменьшение туннельной прозрачности обусловлено не увеличением толщины окисла, а ростом туннельного барьера для дырок при уменьшении избытка недоокисленного кремния в окисле. Для окислов, соответствующих временам окисления от 10 до 60 мин, уменьшение туннельной прозрачности обусловлено как непосредственно увеличением толщины окисла, так и небольшим ростом величины туннельного барьера для дырок. При d>28/34 Angstrem показатель преломления окисла соответствует показателю преломления стехиометрического SiO2.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.