Исследованы при прямом внешнем смещении туннельные характеристики p⁺-Si^*-SiO_x-p-Si структур с термически выращенным при T=700^oC окислом. Анализ туннельных и эллипсометрических характеристик показал, что уменьшение тока через структуру обусловлено уменьшением туннельной прозрачности барьера для дырок. При этом для окислов, соответствующих временам окисления от 1 до 5 мин, уменьшение туннельной прозрачности обусловлено не увеличением толщины окисла, а ростом туннельного барьера для дырок при уменьшении избытка недоокисленного кремния в окисле. Для окислов, соответствующих временам окисления от 10 до 60 мин, уменьшение туннельной прозрачности обусловлено как непосредственно увеличением толщины окисла, так и небольшим ростом величины туннельного барьера для дырок. При d>28/34 Angstrem показатель преломления окисла соответствует показателю преломления стехиометрического SiO₂.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.