Получены спектры полного тока атомно-чистых поверхностей Si(100) и Si(111). На основе энергетических зонных расчетов дана теоретическая интерпретация тонкой структуры этих спектров при учете конечной ширины электронных уровней. Развиваемый метод позволяет отделить объемные эффекты в спектрах полного тока от поверхностных.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.