Исследован механизм возникновения генерации электромагнитного излучения в полупроводниковом гетеролазере на основе прямозонных полупроводников с инжекционным механизмом возбуждения. Показано, что в прямозонных полупроводниках возможен новый механизм генерации излучения с энергией меньшей ширины запрещенной зоны с участием оптических фононов. Вычислен коэффициент усиления для таких переходов и проведено сравнение с результатами экспериментальных исследований.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.