Вышедшие номера
Длинноволновый сдвиг края усиления в полупроводниковых гетеролазерах
Зегря Г.Г., Паршин Д.А., Шабаев А.Р.
Выставление онлайн: 19 марта 1992 г.

Исследован механизм возникновения генерации электромагнитного излучения в полупроводниковом гетеролазере на основе прямозонных полупроводников с инжекционным механизмом возбуждения. Показано, что в прямозонных полупроводниках возможен новый механизм генерации излучения с энергией меньшей ширины запрещенной зоны с участием оптических фононов. Вычислен коэффициент усиления для таких переходов и проведено сравнение с результатами экспериментальных исследований.