Исследованы свойства основной линии люминесценции слабо легированных кристаллов n-InSb в широкой области интенсивностей оптического возбуждения (диапазон изменения около четырех порядков величины) при температуре ~=2 K. Прямым методом, основанным на измерениях зависимости вида спектра люминесценции от длины возбужденной области образца, показано, что линия излучения, возгорающаяся при интенсивной накачке на длинноволновом крыле основной линии, является линией сверхлюминесценции. Полученная из экспериментальных данных величина коэффициента усиления рекомбинационного излучения составляла ~= 10 см^-1 при плотности возбуждения ~ 10²¹ квант/см²· с.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.