Методами импульсной спектрометрии с временным разрешением исследованы процессы создания и разрушения F₂⁺ и F₂ центров во временном интервале 10^-8-10² с после действия импульса электронов наносекундной длительности на кристалл LiF с предварительно наведенными центрами окраски. На основании проведенных исследований делается вывод об образовании F₂⁺ центров в излучательном состоянии при локализации зонных и автолокализованных дырок на F₂ центрах. Доказано, что излучательное синглетное состояние F₂ центра возникает в процессе локализации зонного электрона на F₂⁺ центре и дырки на F₂^- центре. Предложен метод температурного тушения синглетной радиолюминесценции, в основе которого лежит термоактивируемый переход F₂ центра в триплетное состояние из более высоколежащего уровня, чем излучательный синглетный.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.