Построена теория обменного взаимодействия между дыркой, связанной на акцепторе и дыркой в экситоне в полупроводнике или полупроводниковой гетероструктуре. По лучен выражение для оператора обменного взаимодействия, которое описывает не только процесс взаимным переворотом моментов дырок, но и процесс переворота момента одной дырки при сохранении направления поляризации другой дырки. Развитая теория использована для анализа механизмов рассеяния света с переворотом момента дырки на акцепторе, обнаруженного в структуре с квантовыми ямами GaAs/AlGaAs p-типа. Объяснена связь между поляризационными свойствами и отношением интенсивностей стоксовой и антистоксовой компонент наблюдаемого рассеяния.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.