Исследованы при T=4.2 K спектрально-временые характеристики полосы фотолюминесценции, наведенной обработкой поверхности кристаллов CdS щелочным электролитом. Показано, что указанная полоса связана с туннельной излучательной рекомбинацией электронов и дырок, локализованных флуктуациями потенциала в приповерхностной области кристалла.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.