Рассмотрен метод определения зарядового состояния дефекта, занимающего мешдоузельную позицию в кристаллической решетке кремния. В основу метода положено представление о подобии параметров центров, волновая функция которых формируется главным образом из состояний валентной зоны кристалла. Обсуждается возможность использования в качестве такого спинового маркера примесных ионов марганца, занимающих междоузельную позицию в кристаллической решетке кремния.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.