Издателям
Вышедшие номера
Типы дислокационного межзонного поглощения в прямозонных полупроводниках с краевыми дисллокациями
Разумова М.А., Хотяинцев В.Н.
Выставление онлайн: 20 декабря 1991 г.

Выполнен теоретический анализ спектров дислокационного межзонного поглощения, обусловленного дальнодействующей частью взаимодействия электронов и дырок с дислокациями: полем деформаций, электрическим полем линейного заряда или пьезоэлектрическим полем. Расчет проведен в квазиклассическом приближении, получены критерии применимости результатов. Установлены и изучены основные типы дислокационного межзонного поглощения в квазиклассической области исходя из механизмов взаимодействия с дислокацией и механизмов поглощения света: деформационное классическое, деформационное туннельное и электротуннельное (пьезотуннельное). В спектре межзонного поглощения при наличии дислокаций выделяются три участка: фундаментальное поглощение, уширенный край фундаментального поглощения (коэффициент поглощения зависит от структуры дислокационного ансамбля и нелинейно зависит от плотности дислокаций) и дислокационное крыло поглощения (линейная зависимость от плотности дислокаций и степенная --- от частоты в квазиклассической области). Для каждого типа поглощения установлены характерные энергии, показатели степени частотной и концентрационной зависимостей, найдены условия, при которых данный тип поглощения доминирует.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.