Изучены спектральные и температурные характеристики тока, возникающего при освещении приконтактной области кристаллов RbAg₄I₅. Предложен механизм возникновения фотоиндуцированного тока. Зависимость величины тока от области освещения образца использована для анализа неоднородности распределения дефектов в кристаллах RbAg₄I₅ и процессов на границе электронный проводник-суперионный проводник.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.