Приводятся результаты измерений углового распределения аннигиляционных квантов (УРАГК) и спектра времени жизни позитронов в дефектных соединениях Ga₂S₃ и Ga₂Se₃, легированных переходными и редкоземельными элементами. Установлено, что легирование приводит к существенному изменению параметров спектров УРАГК и времени жизни позитронов. На основе полученных экспериментальных данных вычислена концентрация центров захватывающих позитронов, которая составляет (0.7-0.9)· 10¹⁸ см^-3.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.