Исследованы спектры ЭПР на частоте nu=140 ГГц и оптического поглощения (ОП) эпитаксиальных слоев (ЭС) 4H SiC, полученных вакуумным сублимационным "сэндвич-методом" с концентрацией азота от 10¹⁶ до 10¹⁸ см^-3. Обнаружен и изучен новый парамагнитный центр ЛК-1 в ЭС 4H SiC, имеющих отклонение от стехиометрии в сторону избытка кремния. Исследована динамика изменения спектра ЭПР ЭС 4H SiC в температурном интервале от 4.2 до 34 K. Из сравнения теории с экспериментом определена энергия связи парамагнитного носителя с дефектом (E=12.8 мэВ) для центра ЛК-1. Предложена модель ЛК-1-атом кремния в гексагональной позиции углеродного узла, захвативший электрон Si_C-антиструктурный дефект.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.