Издателям
Вышедшие номера
Диодные эффекты в полупроводниковых слоях, обогащенных носителями
Нагаев Э.Л., Подельщиков А.И.
Выставление онлайн: 20 октября 1991 г.

Построена ВАХ системы, состоящей из двух металлических пленок с разными работами выхода, разделенных изолирующей прослойкой. Носители тока появляются в ней за счет контактного легирования. Такая система моделирует островковую металлическую пленку с градиентом размеров частиц, нанесенную на изолирующую подложку. Показано, что эта ВАХ существенно нелинейна, причем степень нелинейности возрастает с ростом разности энергий Ферми металлических пленок. В отличие от обычных диодов металл-полупроводник в рассматриваемой системе металл увеличивает концентрацию электронов в приконтактной области полупроводника.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.