Исследовались многослойные эпитаксиальные пленки GaAs толщиной менее 1 мкм, полученные газофазным методом в системе Ga-AsCl₃-H₂ на подложках полуизолирующего (100) GaAs. Рентгеновскими методами изучались величина нарушенного слоя и макроизгиб эпитаксиальных систем при утонении подложки различными методами от исходной толщины (~300/ 400 мкм) до требуемой (менее 100 мкм). Проведен теоретический анализ полученных результатов с учетом упругопластического состояния нарушенного слоя и макроизгиба системы.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.