Теоретически исследовано резонансное экситонное комбинационное рассеяние света в полумагнитном полупроводнике. Предварительно найден спектр экситонов вариационным методом. Рассмотрены экситонное комбинационное рассеяние света (КРС) без участия фононов и однофононное КРС. На примере Cd_1-xMn_xTe сделаны оценки сечений рассеяния и показано, что однофононный отклик дает вклад в сечение по порядку малости alpha_э (alpha_э - фрелиховская константа связи). Получены формулы для резонансной частоты и порога, который возникает при однофононном процессе. Форма линии резонансного экситонного КРС, когда участвуют основные состояния экситонов. оказалась лоренцевской, в то время как при однофононном повторении форма линии нелоренцевская.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.