Вышедшие номера
Влияние температуры на образование F2-центров в результате перезарядки F2+-центров
Лисицына Л.А., Кравченко В.А., Рейтеров В.И.
Выставление онлайн: 19 сентября 1991 г.

Методами импульсной люминесцентной и абсорбционной спектрометрии с наносекундным временным разрешением исследован процесс образования F2-центров при локализации электронов на предварительно созданных в кристалле F2+-центрах. Обнаружено, что система (F2++e) может находиться в излучательном синглетном и триплетном состояниях, последующие переходы из которых приводят к образованию F2-центров в основном синглетном состоянии с постоянными времени tau1=<sssim 2· 10-8 и tau2=2.5· 10-2 с при 80 K. Установлено, что температурные зависимости эффективностей образования различных спиновых состояний F2-центров в интервале 80-300 K имеют антисимбатный характер при постоянном выходе общего числа F2-центров, образованных при локализации электронов на F2-центрах. В области 80 K преобладает образование F2-центров в излучательном синглетном состоянии.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.