Методами импульсной люминесцентной и абсорбционной спектрометрии с наносекундным временным разрешением исследован процесс образования F₂-центров при локализации электронов на предварительно созданных в кристалле F₂⁺-центрах. Обнаружено, что система (F₂⁺+e) может находиться в излучательном синглетном и триплетном состояниях, последующие переходы из которых приводят к образованию F₂-центров в основном синглетном состоянии с постоянными времени tau₁=<sssim 2· 10^-8 и tau₂=2.5· 10^-2 с при 80 K. Установлено, что температурные зависимости эффективностей образования различных спиновых состояний F₂-центров в интервале 80-300 K имеют антисимбатный характер при постоянном выходе общего числа F₂-центров, образованных при локализации электронов на F₂-центрах. В области 80 K преобладает образование F₂-центров в излучательном синглетном состоянии.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.