В чистых высокоомных кристаллах кремния, облученных электронами с энергией 1 МэВ, обнаружены новые спектры ЭПР Si-PT4 и Si-PT5. Эти спектры наблюдаются по изменению при магнитном резонансе микроволновой фотопроводимости образцов и возникают от радиационных дефектов, находящихся при освещении кристаллов в возбужденных триплетных состояниях. На основе анализа угловой зависимости спектра Si-PT5 и сверхтонкой структуры, обусловленной ядрами ²⁹Si, сделан вывод, что спектр Si-PT5 связан с возбужденным триплетным состоянием дивакансии.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.