Исследованы электрические свойства контакта металл (М)-ферромагнитный полупроводник (ФМП) HgCr₂Se₄ p-типа. Показано, что при комнатной температуре возникает выпрямление, связанное с барьером Шоттки в контакте. При понижении температуры ВАХ становится почти омической. При измерении вторых производных ВАХ выделяются особенности, связанные с шириной запрещенной зоны и p-d-обменным расщеплением валентной зоны.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.