Издателям
Вышедшие номера
Форма линии связанного экситона в пьезоэлектрическом полупроводниковом твердом растворе
Парфенова И.И.
Выставление онлайн: 19 июня 1991 г.

Рассчитана плотность состояний экситона, связанного на изоэлектронной ловушке, с учетом пьезоэлектрического эффекта, вызванного внутренними микродеформациями в твердом растворе полупроводника. Показано, что возникающее дополнительное электрическое поле приводит к образованию системы энергетических уровней связанного экситона в случае твердого раствора Ga1-xInxP и к модуляции ширины спектральной линии в GaAsxP1-x.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.