Издателям
Вышедшие номера
Излучательная рекомбинация в короткопериодических аморфных сверхрешетках Si/SiO2
Виноградов Е.А., Заяц А.В., Никогосян Д.Н., Репеев Ю.А.
Выставление онлайн: 19 июня 1991 г.

Исследованы спектры ФЛ и ВФЛ короткопериодических (=< 20 Angstrem) сверхрешеток (СР) a-Si/SiO2 при непрерывном и пикосекундном лазерном возбуждении. Наблюдается существенное увеличение (в ~= 104 раз) интенсивности примесной люминесценции (2.1 эВ) a-SiO2 в СР по сравнению с отдельными слоями a-SiO2, обусловленное переносом возбужденных носителей между слоями СР. Обнаружена люминесценция при переходах между первыми и вторыми подзонами c- и v-зон слоев a-Si в СР. Релаксация возбужденных носителей между подзонами одной зоны не наблюдается. Обнаружена рекомбинация носителей с участием состояний подзон слоев a-Si и примесных состояний a-SiO2. Доказательств влияния квантоворазмерных эффектов на глубокие примесные состояния в a-SiO2 не обнаружено. Быстрая безызлучательная рекомбинация в слоях a-Si CP приводит к отсутствию люминесценции этих слоев при непрерывном возбуждении.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.