Приводятся результаты исследований температурных зависимостей эффективных модулей Юнга слоистых кристаллов TlInS₂ и TlGaSe₂ в интервале температур 20-300 К. Обсуждаются возможные причины наблюдаемых на опыте отличий в температурном поведении упругих свойств исследуемых кристаллов. Показано, что учет температурной зависимости упругой постоянной C₁₃ в TlGaSe₂, установленный из анализа температурного поведения E_эфф и соответствующих модулей упругости, позволяет объяснить аномалии в поведении коэффициентов линейного расширения и скоростей распространения поперечных УЗ волн в TlGaSe₂.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.