Исследовано влияние статического нагружения на затухание продольных упругих волн частотой 7.5 МГц в кристаллах CsI при 300-425 K. Установлены зависимости средней длины дислокационного сегмента и концентрации примесей на дислокациях от температуры, а также энергии активации и активационного объема от напряжения сдвига. Найдена величина энергии связи центров закрепления с дислокацией. Проведено сравнение полученных результатов с имеющимися теоретическими и экспериментальными данными.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.