Развит подход для описания спектров спиновых переходов мелких доноров в полумагнитных полупроводниках при любых концентрациях магнитной примеси. Данный подход, основанный на использовании статистической теории формы линии магнитного резонанса, позволил установить минимальную концентрацию магнитной примеси n_l~ 0.5 a₀^-3 (a₀ - радиус основного состояния мелкого центра), при котором положение пика резонанса E_m еще описывается в приближении среднего обменного поля, и максимальную концентрацию n_l=0.03 a₀^-3 ограничивающую применимость приближения ближайшего соседа для описания E_m. Выполненные в работе численные расчеты E_m представлены графически и с помощью простой аппроксимирующей функции, описывающей переход к приближению среднего поля при n_la₀³>> 1. В работе получили корректное количественное описание эксперименты по спин-флип-комбинационному рассеянию на мелких донорах в Cd_1-xMn_xS и ЭПР мелких доноров в ZnS : Mn.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.