Исследованы особенности аномального температурного гистерезиса диэлектрической проницаемости varepsilon' в несоразмерной (НС) фазе собственных сегнетоэлектриков Sn₂P₂(Se_xS_1-x)₆, на T-x диаграмме которых имеется точка Лифшица. Установлено, что аномальный гистерезис обусловлен закреплением волны поляризации на дефектах кристаллической решетки. Наличие гистерезиса вплоть до высокотемпературной границы НС фазы T_i является следствием сильного пининга. В высокоомных кристаллах Sn₂P₂Se₆, для которых роль свободных носителей заряда в экранировании доменной структуры незначительна, после перевода образца из полидоменного состояния в сегнетоэлектрической фазе в НС фазу наблюдается дополнительный релаксирующий вклад в аномальный гистерезис.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.