Фотолюминесценция пленок (111) CdTe, полученных молекулярно-лучевой эпитаксией на (100) GaAs
Милохин Е.А., Дворецкий С.А., Калинин В.В., Кузьмин В.Д., Сидоров Ю.Г., Сабинина И.В.
Выставление онлайн: 20 марта 1991 г.
Исследованы низкотемпературные (6 K) спектры фотолюминесценции пленок (111) CdTe, полученные методом молекулярно-лучевой эпитаксии на подложке (100) GaAs при температурах подложки во время роста от 230 до 360oC. Проведено сопоставление структуры спектров с технологическими параметрами.
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.