Издателям
Вышедшие номера
Примесная зона легированных полупроводников в модели сильной связи
Михеев В.М.
Выставление онлайн: 20 марта 1991 г.

Изучено влияние уровня легирования на плотность состояний примесной зоны вблизи перехода Мотта-Андерсена. Электрон-электронное взаимодействие учтено в гамильтониане задачи в приближении самосогласованного поля Хартри. Влияние экранирования учитывалось в моделях Томаса-Ферми и Пайнса. Показано, что учет перекрытия волновых функций электронов для соседних примесных центров приводит к формированию двух пиков плотности состояний примесной зоны в окрестности перехода Мотта-Андерсена.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.