Издателям
Вышедшие номера
Влияние Ge на скорость прыжков донорных электронов в твердом растворе Si-Ge
Бугай А.А., Максименко В.М., Нурутдинова И.Н., Шанина Б.Д., Бабич В.М.
Выставление онлайн: 17 февраля 1991 г.

Изучено влияние атомов изовалентной примеси Ge на свойства донорных электронов, принадлежащих кластерам фосфора в приповерхностных, обогащенных фосфором, слоях твердого раствора Si-Ge. Показано, что рассеяние донорных электронов на атомах Ge увеличивает скорость прыжкового движения электрона от кластеров к одиночным донорам tausd-1 и скорость обратного прыжка tauds-1, так что tausd-1 пропорциональна sqrt(NGe)sqrt, а tauds-1 пропорциональна NGe, где NGe --- концентрация Ge.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.