Показано, что наличие резкого максимума в спектральной зависимости сечения фотоионизации дефекта с глубоким уровнем при переходах в валентную зону прямозонных полупроводников A³B⁵ является следствием того, что глубокое состояние имеет симметрию A₁. Обсуждается возможность использования этого факта для идентификации глубоких A₁-состояний.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.