Методами НЖК и индентирования показано, что процессы стабилизации поляризации и повышения трещиностойкости кристаллов ТГС при облучении рентгеновскими лучами и низкоэнергетическими электронами качественно аналогичны. Величины порогового поля процесса переполяризации E_п и критического размера трещины c^* с глубиной проникновения излучения в кристалл уменьшаются по экспонентам, коэффициенты ослабления которых изменяются на расстоянии 3.3 мкм от облученной поверхности для пучка электронов и 2 мм - для рентгеновских лучей. Обнаружено, что при облучений кристалла ТГС наряду с точечными формируются сложные крупномасштабные радиационные дефекты, происходит десорбция фрагментов структуры с поверхности и по границам блоков ростовой блочной структуры.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.