Исследована структура электронных состояний, обусловленная пространственным квантованием в аморфных сверхрешетках Si/SiO₂ с толщиной слоев <10 Angstrem. Обнаружено от двух до трех энергетических подзон носителей, возникающих из-за размерного квантования в области разрешенных состояний кремния. Энергетическое положение подзон немонотонно зависит от толщины слоя кремния в сверхрешетке.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.