Приведены кластерные расчеты электронной структуры F-центров, "чистых" вакансий (V), вакансионно-примесных комплексов [V + Me⁺], Me = Li⁺, Na⁺, K⁺, M-центров (F₂- и F₂⁺-центров симметрии D_2h) в кристаллах MgF₂. Расчеты проводились методом рассеянных волн (ССП-РВ методом) в модели внедренного кластера. Использована полуэмпирическая схема коррекции погрешности функционала локальной плотности в оценке величины E_g для идеального кристалла в рамках принятой схемы внедрения кластера в кристалл. Рассчитанные энергии поглощения центров для основного перехода хорошо согласуются с экспериментальными. Обсуждается влияние учета эффектов анизотропии кристаллического потенциала и релаксации решетки на структуру одноэлектронного спектра дефектов.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.