Приведены спектры поверхностной фотоэдс p-InP (100) после термической очистки поверхности полупроводника в сверхвысоком вакууме и после нанесения на очищенную поверхность субмоноатомных слоев меди. На спектрах фотоэдс имеются длинноволновые части (hnu <E_g), связанные с возбуждением дырок с поверхностных состояний (ПС) в валентную зону. Определена энергия ионизации E_i ПС, возникающих при адсорбции Cu на InP. Показано, что при толщине слоя меди d=0.54/2 Angstrem E_i не зависит от толщины адсорбата и равна 0.73 эВ.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.