Рассмотрен электронный транспорт в полупроводнике, легированном примесями, которые образуют квазилокальные электронные состояния на фоне разрешенной зоны. Резонансное рассеяние носителей на таких примесях отличается от обычного потенциального рассеяния значительной продолжительностью пребывания частицы на центре, что приводит к уменьшению концентрации свободных электронов в зоне. Впервые принято во внимание влияние этой стороны резонансного рассеяния на кинетику носителей. Рассмотрен нелинейный электроперенос в полупроводнике с резонансными примесями. Возможность перехода части носителей на центры в процессе резонансного рассеяния приводит к появлению N-образных вольт-амперных характеристик по аналогии с эффектом Ганна.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.